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X射線光電子能譜技術(XPS)在半導體領域的應用

發布時間:2022-08-26 點擊次數:2528

X射線光電子能譜技術(XPS)原理

X射線光電子能譜技術(XPS)是電子材料與元器件顯微分析中的一種先進分析技術,它不但為化學研究提供分子結構和原子價態方面的信息,還能為電子材料研究提供各種化合物的元素組成和含量、 化學狀態、分子結構、化學鍵方面的信息。它在分析電子材料時,不但可提供總體方面的化學信息,還能給出表面、微小區域和深度分布方面的信息。 另外,因為入射到樣品表面的X射線束是一種光子束,所以對樣品的破壞性非常小,這一點對分析有機材料和高分子材料非常有利。

 

X射線光電子能譜技術(XPS)設備

以下以全自動、成像型多技術X射線光電子能譜儀——AXIS SUPRA+作為示例,展示XPS在半導體領域當中的應用AXIS SUPRA+集樣品全自動傳輸、全自動分析、智能數據采集處理于一體,體現了便捷性;擁有多種X 射線源、大半徑雙層能量分析器,杰出的荷電中和技術,使其獲得了最優異的性能;通過豐富的硬件接口和靈活的軟件接口,具備了多種功能附件和完善的表面分析技術。

全自動、成像型多技術X射線光電子能譜儀——AXIS SUPRA+

 

X射線光電子能譜技術(XPS)在半導體領域的應用

XPS檢測半導體表面污染

XPS是檢測半導體表面的檢測方法之一,半導體晶片在保存放置過程中,免不了要受到環境氣氛的氧化或者污染,在使用晶片進行外延生長或加工器件之前,表面的清潔至關重要。XPS由于表面靈敏度高,且為無損檢測,因此檢測之后還可繼續用于后續的使用。

 

半導體器件失效分析

“金手指”是指電腦硬件如內存條上與內存插槽、顯卡與顯卡插槽之間等進行電信號傳輸的介質,金手指涂敷工藝不良或由于使用時間過長導致其表面產成了氧化層,均會導致接觸不良,甚至造成器件報廢。

單晶硅表面被氧化污染后出現SiO2 

單晶硅表面被氧化污染后出現SiO2

硅片表面分布島狀SiO2的XPS成像,Si(綠色)、SiO2(紅色) 

硅片表面分布島狀SiO2的XPS成像,Si(綠色)、SiO2(紅色)

 

島津高能Ag靶表征GaN半導體材料

GaN可作為藍綠光半導體材料,XPS分析該材料時,要注意Ga的俄歇峰對N 1s峰的干擾,單色Al靶測試時,Ga LMM對N 1s的干擾最為嚴重;雙陽極Mg靶測試時,該干擾并不能完全消除;使用島津高能Ag靶測試時,則可以得到完全分離的N 1s結果。

島津高能Ag靶表征GaN半導體材料 

島津高能Ag靶分析GaN材料 

島津高能Ag靶分析GaN材料

 

K介電常數介質材料(用做柵極)分析

半導體業界常利用高K介電常數介質材料HfO2來代替傳統SiON來改善柵極漏電流問題。使用XPS角分辨功能,對HfO2柵極氧化物多層結構進行分析可獲得柵極氧化物的結構及厚度。

HfO2柵極氧化物表面結構分布及結構示意圖 

HfO2柵極氧化物表面結構分布及結構示意圖

由于X射線光電子能譜的表面靈敏度以及優秀的化學狀態分析能力,已廣泛應用于大規模集成電路芯片、計算機硬盤、光盤等領域的研發、工業化生產檢測中。通過XPS成像技術對半導體期間微區表面元素進行分析,能夠清楚地了解各元素在期間表面的散布,結合污染元素的組成以及化學的狀態進行有目的的排查,能夠有效對器件的質量和失效機制進行解析與把控,有效對污染和器件材料失效進行控制,達到對產品技藝的優化。

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