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X射線光電子能譜技術特點

X射線光電子能譜技術（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS）是一種重要的材料表面成分等信息的分析技術。XPS技術通過采用一定能量的X射線照射樣品表面，和待測樣品的表面原子發生作用，測量樣品表層中原子的內層電子或價電子束縛能及其化學位移，從而獲得元素種類、原子的結合狀態以及電荷分布狀態等信息。

XPS技術特點

XPS技術具有靈敏度高、分辨率高、元素分析全（除H和He）、為非破壞性分析、深度剖析、小于10 nm薄膜分析（角分辨）、元素化學態分布（XPS成像技術）等特點。

定性分析:

根據所測得譜的位置和形狀來得到有關樣品的組分、化學態、表面吸附、表面價電子結構、原子和分子的化學結構、化學鍵合情況等信息。

定量分析:

以能譜中各峰強度的比值為基礎進行分析，把所測到的信號強度轉變成元素的含量，即將譜峰面積轉變成相應元素的含量。

深度剖析:

由于樣品本身的層狀結構如氧化、鈍化等原因導致樣品在深度方向上化學狀態的不同。通過利用氬離子槍對樣品表面進行氬離子濺射剝離，控制合適的濺射強度及濺射時間，將樣品表面刻蝕一定深度，然后進行取譜分析。

角分辨電子能譜分析:

改變樣品表面與入射光束間的角度，即可改變入射光的檢測深度，使得檢測深度變淺，這樣來自最表層的光電子信號相對較深層的會大大增強。利用這一特性，可以對超薄樣品膜表面的化學信息進行有效地檢測，從而研究超薄樣品化學成分的縱向分布。

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